人民網(wǎng)北京1月30日電 （記者李依環(huán)）記者從天津大學(xué)獲悉，該校天津納米顆粒與納米系統(tǒng)國際研究中心教授馬雷及其科研團隊，日前在半導(dǎo)體石墨烯領(lǐng)域取得了顯著進展。該團隊的研究成果《碳化硅上生長的超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯》，已于1月3日在《自然》雜志網(wǎng)站上在線發(fā)布。
據(jù)悉，該研究成果成功地攻克了長期以來阻礙石墨烯電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題，打開了石墨烯帶隙，實現(xiàn)了從“0”到“1”的突破。這一突破被認為是開啟石墨烯芯片制造領(lǐng)域大門的重要里程碑。
石墨烯，作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，其獨特的狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致了零帶隙的特性。“零帶隙”特性正是困擾石墨烯研究者數(shù)十年的難題。如何打開帶隙，成為開啟“石墨烯電子學(xué)”大門的“關(guān)鍵鑰匙”。
天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統(tǒng)國際研究中心教授馬雷研究團隊通過對外延石墨烯生長過程的精確調(diào)控，成功地在石墨烯中引入了帶隙，創(chuàng)造了一種新型穩(wěn)定的半導(dǎo)體石墨烯。這項前沿科技通過對生長環(huán)境的溫度、時間及氣體流量進行嚴格控制，確保了碳原子在碳化硅襯底上能形成高度有序的結(jié)構(gòu)。這種半導(dǎo)體石墨烯的電子遷移率遠超硅材料，表現(xiàn)出了十倍于硅的性能，并且擁有硅材料所不具備的獨特性質(zhì)。
該項研究實現(xiàn)了三方面技術(shù)革新，首先，采用創(chuàng)新的準平衡退火方法，該方法制備的超大單層單晶疇半導(dǎo)體外延石墨烯（SEG），具有生長面積大、均勻性高，工藝流程簡單、成本低廉等優(yōu)勢，彌補了傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝的不足；第二，該方法制備的半導(dǎo)體石墨烯，擁有約600 meV帶隙以及高達5500 cm2V-1s-1的室溫霍爾遷移率，優(yōu)于目前所有二維晶體至少一個數(shù)量級；最后，以該半導(dǎo)體外延石墨烯制備的場效應(yīng)晶體管開關(guān)比高達104，基本滿足了現(xiàn)在的工業(yè)化應(yīng)用需求。
據(jù)介紹，在本次天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統(tǒng)國際研究中心的突破性研究中，具有帶隙的半導(dǎo)體石墨烯為高性能電子器件帶來了全新的材料選擇。這種半導(dǎo)體的發(fā)展不僅為超越傳統(tǒng)硅基技術(shù)的高性能電子器件開辟了新道路，還為整個半導(dǎo)體行業(yè)注入了新動力。隨著摩爾定律所預(yù)測的極限日益臨近，半導(dǎo)體石墨烯的出現(xiàn)恰逢其時，預(yù)示著電子學(xué)領(lǐng)域即將迎來一場根本性的變革，其突破性的屬性滿足了對更高計算速度和微型化集成電子器件不斷增長的需求。